HippStor HP600系列产品基于国产主控和自研固件，搭载SK Hynix 176层4 Plane eTLC NAND，为客户提供业界领先的高性能、高可靠、低延时的企业级NVMe SSD，为客户IT及云设施建设提供更安全、高能效和更优TCO的存储解决方案。
HippStor HP600系列产品广泛适用于企业IT、运营商、互联网、金融、智能制造、AI、大数据分析、高性能计算和云服务等行业的核心存储场景。
产品资料下载| 型号/系列 | HippStor HP600系列 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 容量 (TB) 1 | 3.84TB | 7.68TB | 3.2TB | 6.4TB | |
| 外形 | U.2 2.5英寸 15mm | ||||
| 接口 | PCIe4.0 x4, NVMe 1.4a | ||||
| NAND | SK Hynix V7 176L eTLC NAND 512Gb/die | ||||
| 性能 | 读带宽 (128KB) MB/s 2 | 7400 | 7400 | 7400 | 7400 |
| 写带宽 (128KB) MB/s 3 | 7100 | 7100 | 7100 | 7100 | |
| 随机读 (4KB) KIOPS 3 | 1750 | 1750 | 1750 | 1750 | |
| 随机写 (4KB) KIOPS 3 | 300 | 340 | 620 | 650 | |
| 4K 随机读写时延μs 3 | 65/10 | ||||
| 4K 顺序读写时延μs 3 | 10/10 | ||||
| 功耗 4 | 工作功耗(读/写) （W） | 12.5/17.5 | 12.5/18.5 | 12.5/17.5 | 12.5/18.5 |
| 空闲功耗（W） | 5.5 | 6 | 5.5 | 6 | |
| 可靠性 | 寿命 5 | 1 DWPD | 3 DWPD | ||
| UBER | <10-17 | ||||
| MTBF | 200万小时 | ||||
| 数据保持 6 | 40℃且以下电的情况下，数据保持时间不少于3个月 | ||||
| 硬件结构 | 重量（-+10g） | 170 | 177 | 170 | 177 |
| 长X宽X高（mm） | 100.2 X 69.85 X 14.8 | ||||
| 环境条件 | 温度 | • 工作温度（SMART）：0~77℃ • 非工作温度：-40°C～85°C | |||
| 支持的操作系统 | RHEL, SLES, CentOS, Ubuntu, Windows Server, VMware ESXi | ||||
| 遵守标准 | • PCI Express Base Specification Rev. 4.0 • NVM Express Specification Rev. 1.4a • NVM Express Management Interface Specification Rev. 1.1 | ||||
1.1TB=1,000,000,000,000 Bytes，1 sector=512 Bytes，显示的LBA计数表示总的用户存储容量，并将在盘使用寿命期间保持相同。
2.性能是1 sector=512 Bytes时，以1 Numjobs*Queue Depth 256*128KB（131,072 bytes）对顺序读带宽的测量;
3.性能是1 sector=512 Bytes时:
• 以1 Numjobs*Queue Depth 256*128KB（131,072 bytes）对顺序写带宽的测量;
• 以8 Numjobs*Queue Depth 256*4KB (4096 bytes)对随机读IOPS的测量。
• 以4 Numjobs*Queue Depth 64*4KB (4096 bytes)对随机写IOPS的测量。
• 延时是使用fio以1 Numjobs*Queue Depth 1*4KB (4096 bytes)对随机/顺序读和写的平均时延的测量。
4.工作功耗（读/写）是以1 Numjobs* Queue Depth 256*128KB对顺序读写的测量；
空闲功耗是指SSD上电后，保持空闲状态下的功耗。
5.DWPD：每日整盘写满次数，持续5年。
6.数据保持：SSD达到最大额定寿命时，在40℃且下电状态下，数据保持的预期时间为3个月，详细测试条件请参考JEDEC标准JESD218文件中的定义。
基于高性能国产主控
采用基于12nm先进制程国产主控DP600, 8个内核提供强劲性能，其4K编码提供超强纠错能力。该主控可集成可计算存储平台和基于ASIC加速的机器学习架构，为后续定制开发可计算存储等特性提供强劲的平台支持。
基于先进NAND技术
采用SK Hynix 176层4 Plane eTLC NAND，性能更优，能耗更低，更高性价比。
极致性能，更低功耗
顺序写性能达到7100MB/s, 随机写性能高达340k IOPS( 1 DWPD)/660k IOPS (3 DWPD)，行业内大幅领先。功耗最低5.5W,最高功耗18W.
更低时延
随机写时延低至10μs
安全可靠
-支持端到端数据保护（End to End data protection），确保数据一致性。
-支持Flash Raid 2.0 , 并提供一个Die作为parity Die,可以容忍多Die失效不影响业务和数据读写性能。
-支持过温保护。9级功耗性能可调。支持NVMe 1.4a,提供更丰富的功能
NVMe 1.4a
NVMe-MI 1.1 (SMBus)
在线升级
热插拔
掉电数据保护、全路径数据保护
多命名空间（Multiple Namespace）
WRR
Telemetry
NVMe Sanitize(支持全盘物理block擦除)
SMART
Device Power Management
Flash RAID 2.0
原子写
DSM
支持VSS多种扇区格式
过温保护
9级功耗性能可调
| 产品系列 | FF | 容量点 | Gen&Lane | 端口 | 产品型号 | 容量点 | 产品文字描述 | DWPD |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HP600 | U.2 | 3.84 | Gen4x4 | Single Port | HPD3104T0T103T8000 | 3.84 | HP600_U.2_3.84T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD | 1 |
| HP600 | U.2 | 7.68 | Gen4x4 | Single Port | HPD3108T0T107T6000 | 7.68 | HP600_U.2_7.68T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD | 1 |
| HP600 | U.2 | 3.2 | Gen4x4 | Single Port | HPD3104T0T103T2000 | 3.2 | HP600_U.2_3.2T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD | 3 |
| HP600 | U.2 | 6.4 | Gen4x4 | Single Port | HPD3108T0T106T4000 | 6.4 | HP600_U.2_6.4T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD | 3 |
