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产品介绍

        The HippStor HP600 Series NVMe SSD is designed and built on our powerful controller DP600 and firmware with the 176 layers enterprise TLC NAND from SK Hynix. Such a unique combination creates industry-leading SSDs with high speed, superior reliability, low latency, and excellent power efficiency, bringing optimised TCO to enterprise IT and cloud facilities. HP600 series NVMe SSD is an ideal solution for core data  storage scenarios in different fields, such as enterprise IT, logistics, Internet, finance, intelligent manufacturing and AI.


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规格参数
型号/系列HippStor HP600系列
容量 (TB) 13.84TB7.68TB3.2TB6.4TB
外形U.2 2.5英寸 15mm
接口PCIe4.0 x4, NVMe 1.4a
NANDHynix V7 176L eTLC NAND 512Gb/die
性能读带宽 (128KB) MB/s 27400740074007400
写带宽 (128KB) MB/s 37100710071007100
随机读 (4KB) KIOPS 31750175017501750
随机写 (4KB) KIOPS 3300340620660
4K 随机读写时延μs 365/10
4K 顺序读写时延μs 310/10
功耗 4工作功耗(读/写) (W)12.5/17.512.5/18.512.5/17.512.5/18.5
空闲功耗(W)5.565.56
可靠性寿命 51 DWPD3 DWPD
UBER<10-17
MTBF200万小时
数据保持 640℃且已下电的情况下,数据保持时间不少于3个月
硬件结构重量(-+10g)170177170177
长X宽X高(mm)100.2 X 69.85 X 14.8
环境条件温度• 工作温度(SMART):0~77℃
• 非工作温度:-40°C~85°C
支持的操作系统RHEL, SLES, CentOS, Ubuntu, Windows Server, VMware ESXi
遵守标准• PCI Express Base Specification Rev. 4.0
• NVM Express Specification Rev. 1.4a
• NVM Express Management Interface Specification Rev. 1.1
备注:
1.1TB=1,000,000,000,000 Bytes,1 sector=512 Bytes,显示的LBA计数表示总的用户存储容量,并将在盘使用寿命期间保持相同。
2.性能是1 sector=512 Bytes时,以1 Numjobs*Queue Depth 256*128KB(131,072 bytes)对顺序读带宽的测量;
3.性能是1 sector=512 Bytes时:
• 以1 Numjobs*Queue Depth 256*128KB(131,072 bytes)对顺序写带宽的测量;
• 以8 Numjobs*Queue Depth 256*4KB (4096 bytes)对随机读IOPS的测量。
• 以4 Numjobs*Queue Depth 64*4KB (4096 bytes)对随机写IOPS的测量。
• 延时是使用fio以1 Numjobs*Queue Depth 1*4KB (4096 bytes)对随机/顺序读和写的平均时延的测量。
4.工作功耗(读/写)是以1 Numjobs* Queue Depth 256*128KB对顺序读写的测量;
空闲功耗是指SSD上电后,保持空闲状态下的功耗。
5.DWPD:每日整盘写满次数,持续5年。
6.数据保持:SSD达到最大额定寿命时,在40℃且下电状态下,数据保持的预期时间为3个月,详细测试条件请参考JEDEC标准JESD218文件中的定义。
产品亮点
  • 基于高性能国产主控

    采用基于12nm先进制程国产主控DP600, 8个内核提供强劲性能,其4K编码提供超强纠错能力。该主控可集成可计算存储平台和基于ASIC加速的机器学习架构,为后续定制开发可计算存储等特性提供强劲的平台支持。

  • 基于先进Nand技术

    采用Hynix 176层4 Plane eTLC NAND,性能更优,能耗更低,更高性价比。

  • 极致性能,更低功耗

    顺序写性能达到7100MB/s, 随机写性能高达340k IOPS( 1 DWPD)/660k IOPS (3 DWPD),行业内大幅领先。功耗最低5.5W,最高功耗18W.

  • 更低时延

    随机写时延低至10μs

  • 安全可靠

    -支持端到端数据保护(End to End data protection),确保数据一致性。
    -支持Flash Raid 2.0 , 并提供一个Die作为parity Die,可以容忍多Die失效不影响业务和数据读写性能。
    -支持过温保护。9级功耗性能可调。

  • 支持NVMe 1.4a,提供更丰富的功能

关键特性支持
  • NVMe 1.4a

  • NVMe-MI 1.1 (SMBus)

  • 在线升级

  • 热插拔

  • 掉电数据保护、全路径数据保护

  • 多命名空间(Multiple Namespace)

  • WRR

  • Telemetry

  • NVMe Sanitize(支持全盘物理block擦除)

  • SMART

  • Device Power Management

  • Flash RAID 2.0

  • 原子写

  • DSM

  • 支持VSS多种扇区格式

  • 过温保护

  • 9级功耗性能可调

产品型号列表
产品系列FF容量点Gen&Lane端口产品型号容量点产品文字描述DWPD
HP600U.23.84Gen4x4Single PortHPD3104T0T103T80003.84HP600_U.2_3.84T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD1
HP600U.27.68Gen4x4Single PortHPD3108T0T107T60007.68HP600_U.2_7.68T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD1
HP600U.23.2Gen4x4Single PortHPD3104T0T103T20003.2HP600_U.2_3.2T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD3
HP600U.26.4Gen4x4Single PortHPD3108T0T106T40006.4HP600_U.2_6.4T_PCIe 4.0x4 NVMe SSD3
电话400-816-2256
邮箱Sales@hippstor.com
地址Tian An Cyber Park, No. 228, Linghu Avenue, Xinwu District, Wuxi